2年後には大活躍！
コンピューターやモバイルデバイスの高性能化のカギを握っている半導体チップ。現在実用化されている最小シリコントランジスタには14nmプロセスの製造技術が用いられています。そして、まもなく次なる10nmプロセスの実用化によって、さらなるチップの高速化が目指されているというのが現状なのですが……。
このほどIBMは、そのグンと先をいく7nmプロセスでのチップ製造開発に成功したことを明らかにしましたよ。成功の秘密の1つに、従来のシリコンのみを用いる製造プロセスではなく、シリコンゲルマニウム（SiGe）素材の活用があげられています。まだ研究開発段階ですけど、この新たなSiGeによる7nmプロセスによって誕生したチップは、現時点で世界でもっともパワフルなチップと比較しても、その4倍以上の高速性能を誇るんだとか！
IBMは新7nmプロセスで製造される半導体チップの供給を、2017年中にも本格化させる見通しを明らかにしています。ちなみに7nmというサイズは、DNAの鎖の幅の3倍程度という極小レベルの世界の話になりますよ。このチップが搭載されたスマートフォンやタブレットが登場すれば、現行モデルとは比べものにならないレベルで、より低消費電力で高性能なデバイスが次々と姿を現わしてきそうですよね～。
なお、半導体チップの微細化技術の進歩をめぐっては、かの有名なムーアの法則が存在しています。半導体チップ上のトランジスタ数は18か月ごとに倍増していくという、インテルのゴードン・ムーア氏によって提唱された理論ですが、その限界は7nmあたりではないかとする見方も出てきているようです。つまり、今回のIBMによる7nmプロセスによる製造チップは、もしや半導体微細化技術の限界点？ いずれにせよ、まさに理論上でも最先端に達する半導体製造プロセスが、あと2年で現実のものになる可能性が高まったということでもあるのでしょうね。
source: Sky News
（湯木進悟）