韓国SK Hynixは9日（現地時間）、NAND型フラッシュストレージにおける最新規格「UFS 2.0」に準拠したメモリの本格的な出荷を近日中にも開始すると発表しました。
UFS 2.0とは、メモリーカード規格の一つである「UFS（ユニバーサル・フラッシュ・ストレージ）」の最新規格であり、現在のハイエンド級モデルにおいて主流となっている「eMMC 5.0」を置き換える次世代メモリ規格として注目を集めています。UFS 2.0の特徴についての詳細は、こちらの「過去記事[1]、[2]」をご参照ください。
なお、SK Hynixによると、既にいくつかの ”国際的なスマートフォンメーカー” との間で、同社製の「64GB」UFS 2.0メモリの供給に関する交渉が進められているとのこと。また今回、年内に登場するフラッグシップモデルにこの次世代フラッシュメモリが搭載される見込みとの見解が、業界の専門家によって明らかにされています。
サムスン製の「UFS 2.0」メモリ
そのほか、市場調査を手掛ける米国企業IHS Technologyが発表した予測によると、スマートフォン向け内蔵メモリ市場におけるUFS 2.0メモリのシェアは年内に4.0%、2017年までに23%、2019年までに49%に達する見込みとのこと。
「Galaxy S6」および「Galaxy S6 edge」において世界で初めて採用された最新の超高性能フラッシュメモリは、これまで韓国サムスンによる独占供給体制が構築されてきました。しかし今回、SK Hynixが大量生産にまで漕ぎ着けたことにより、いよいよ本格的にUFS 2.0メモリの普及が始まることになりそうです。
[The Korea Herald via Phone Arena]