サムスン、10nm FinFETプロセスの大量生産を2016年末頃に開始へ

韓国サムスンセミコンダクターは21日(現地時間)、同社の製品ロードマップに「10nm FinFET」プロセスを正式に追加したことを明らかにしました。

「10nm FinFET」プロセスの開発スケジュールについて語るケルヴィン・ロウ氏による

今回、サムスンセミコンダクターの幹部ケルヴィン・ロウ氏が明らかにしたところによると、この10nm FinFETプロセスはモバイル、家庭用電化製品、ネットワークの分野で利用されるチップにおいて、パフォーマンスと省電力性能の両面において大きな進歩をもたらす見通しとのことです。

また今回、氏は同プロセスの大量生産の開始を2016年末頃に予定していることも明言。なお、市場での最大のライバルとなる台湾TSMCも同じく10nmプロセスの大量生産を2016年後半に開始する見込みであることが過去には報じられており(過去記事)、サムスンの開発スケジュールがTSMCに大きく後れを取っていないことがアピールされる形となりました。

[Samsung Semiconductor via Fudzilla]