KitGuruは21日（現地時間）、台湾TSMCが開発を進めている「5nm」プロセスの製造において、EUVリソグラフィー（極端紫外線露光）技術を用いる見通しであることが判明したと伝えています。
EUVを用いたリソグラフィー技術は、微細化の限界に迫られつつある近年の半導体製造技術における ”救世主” 的な存在として注目を集めてきた手法ですが、当初の期待とは裏腹に、現在に至っても実用化には至っていません。
しかし今回、TSMCの代表取締役マーク・リュウ氏が収支報告会の場で明らかにしたところによると、TSMCは5nmプロセスの製造において、ついにEUVリソグラフィーを本格的に導入する計画とのこと。また「7nm」プロセスの製造に関しては従来技術を用いて行うものの、EUVを用いた7nmプロセスの製造テストを実施する予定であることも明らかにされました。
なお、EUVリソグラフィーの主な利点としては、わずか「13.5nm」という通常の紫外線よりも遥かに波長の短い光を露光に用いる点にあります。従来的な技術ではEUVよりも圧倒的に波長の長い紫外線を、「パターニング」という工程を何度か繰り返す（＝マルチパターニング）ことにより光の解像度を向上させ、20nmや16nm、14nmプロセスといった非常に微細な半導体の製造を可能としてきました。
しかし、EUVリソグラフィーにおいてはより微細化された半導体の製造を可能にするほか、このマルチパターニング工程が必要がなくなるため、微細化サイクル自体の改善や生産歩留まりの向上などの実現に繋がることも期待されています。
KitGuruによると、現在TSMCは世界の半導体製造装置のシェアの大半を独占するオランダ企業ASMLとパートナーシップを組み、EUV技術の開発と導入に注力しているとのこと。ちなみに前述の7nmプロセスを用いた製造テストは、2017～18年に行われ、2018～19年頃にEUVリソグラフィーによる5nmプロセスの試験生産が開始される見通しです。
ただしリュウ氏は、今回明らかにした計画はあくまでも ”予定” であり、今後の状況の推移次第では計画が変更される可能性もあることを明言しました。予定通りに計画が進行するかどうかは分かりませんが、いずれにせよ早くとも今から3年は先の話となりますので、今後のTSMCからの発表や報告を気長に待ちたいと思います。