富士電機は6月29日、SiCパワー半導体ハイブリッドモジュール製品のラインアップを拡充したと発表した。
今回、製品拡充がなされたのは、SiC素子を使用したショットキーバリアダイオード(SBD)とSi素子を使用したIGBTで構成されるハイブリッドモジュール。今回の取り組みにより、定格電圧は600V/1200V/1700Vとなり、さまざまな産業機器などに適用可能となった。
また性能面としても、インバータとしては従来機種比で約30%のデバイストータル損失の低減を実現しているほか、1700V品では従来のSiデバイス比で最大1.5倍の高出力かを実現。周辺部品の小型化なども可能となるため、設備の省スペース化なども実現できるようになるとしている。
なお同社では、これらのSiCハイブリッドモジュールの売り上げについて、2018年度で30億円としている。