The New York Timesは9日（現地時間）、米IBMが、次々世代技術となる「7nm」プロセスで製造された実際に動作するチップの試作品を公開したことを報じています。
現在、米Intelや台湾TSMC、韓国サムスンなどの大企業がこぞって「10nm FinFET」プロセスの実用化および大量生産に向けてしのぎを削っている最中、今回IBMによってさらにその次世代技術となる7nmプロセスの試作チップが公開されることとなりました。
New York Timesによると、この7nmプロセスを用いて製造したマイクロプロセッサにおいては、「200億個」以上ものトランジスタを搭載することを可能にするとのことです。
7nmプロセスのシリコンウェハ
また、この最新技術はIBM単独で開発が行われている訳ではなく、IBM主導で形成された合弁企業との協力の下に研究開発が進められてたことも明らかにされました。この合弁企業は、米GlobalFoundriesやサムスンを筆頭にした多くの半導体メーカーなどによって構成されています。
なお、先日にはTSMCも7nmプロセスの試験生産を2017年中にも開始し同年内にも提供を開始する計画を明らかにしており（過去記事）、各社が予定する通りの順調に計画が進行すれば、今後2～3年のうちに半導体技術は大きな躍進を遂げることとなりそうです。