Tech Grappleは27日（現地時間）、米クアルコムの次世代フラッグシップSoC「Snapdragon 820」の最新サンプルチップの性能を示唆するデータがリークされたことを伝えています。
「V3」のスコアの直下には、旧世代モデルとなる「V2」のスコアも併記されている
先日、「V3.X」という開発コードネームを与えられたSnapdragon 820の最新サンプルチップが、近日中にも韓国サムスンなどに対して提供が開始される見込みとの情報が伝えられましたが（過去記事）、今回そのV3.Xのものと見られるベンチマークスコアがリークされました。
Tech Grappleによると、Geekbench 3においてV3はシングルコア（シングルスレッド処理）性能において2032、マルチコア（マルチスレッド処理）性能においては5910を記録したとのこと。以前リークされた同テストにおけるSnapdragon 820のスコア（過去記事）から、特に後者において顕著に性能が改善している様子がうかがえます。
先日リークされた、同ベンチマークにおける「Snapdragon 820」のスコア
また昨日には、米アップルの誇る最新SoC「A9」プロセッサの同ベンチマークにおけるスコアがリークされましたが（過去記事）、その情報の中ではシングルおよびマルチコア性能のスコアはそれぞれおよそ2500と4400とされていました。
どうやら、シングルコア性能ではA9に軍配が上がるものの、マルチコア性能に関して言えばSnapdragon 820の方が大きく上回ることとなるようです。
なお、先月中旬には、同じく年内の正式リリースが予測される中国ファーウェイの次世代フラッグシップSoC「Kirin 950」の同ベンチマークテストにおけるスコアもリークされていますが（過去記事）、スコアはそれぞれ1909と6096となっており、スコアだけを見るならばSnapdragon 820とほぼ互角の性能を実現していることとなります。
先月リークされた、「Kirin 950」のベンチマークスコア
今回リークされたデータの中には、Snapdragon 820がサムスン製の「14nm FinFET LPE」プロセスで製造されていることも記されており、残念ながら同プロセスの改良版となる「14nm FinFET LPP」の生産および供給は間に合わなかった模様ですが、もしかすると2016年後半以降に登場する高性能SoCにおいては改良版プロセスが採用されることになるかもしれません。
また、今回示されたSnapdragon 820のスコアはあくまでもV3時点のものであり、「V4」や「V5」のように今後さらに進化した改良版チップが開発されることになる可能性も十分に考えられますので、製品版においてはさらに高性能なチップとして完成されていることに期待しても良さそうです。
[Tech Grapple via Phone Arena]