既報の通り、韓国サムスン・エレクトロニクスは9月22日(現地時間)、毎年恒例となっているSSD新製品の発表会「2015 Samsung SSD Global Summit」を韓国・ソウルにて開催。新たに発表された「V-NAND SSD 950 PRO M.2 NVM Express」(以下、950 PRO)とともに、イベントの中心部分にしぼって内容をお伝えしよう。
年々こなれてきているSamsung SSD Global Summit、SSDの新製品とSamsungの最新NANDテクノロジーが披露されるとあって、世界中から多くの報道関係者が集まる。あくまで「機械の内蔵部品」であるSSDを主役として、これだけ大々的なプライベートイベントを開催する(できる)企業は珍しいだろう。
昨年(2014年)のSamsung SSD Global Summitでは、コンシューマ向けSSDとして初めて3次元構造のNANDフラッシュ(3D V-NAND)を搭載した「Samsung SSD 850 PRO」を発表し、3D V-NAND技術の詳細なプレゼンテーションがあった(昨年の記事を参照いただきたい)。2014年と比較すると、2015年のSamsung SSD Global Summitは新しいテクノロジーに関する話題が少なかったため、やや小粒な印象を受ける。
それでも、やはりコンシューマ向けSSDとして初めて、PCI Express Gen3 x4接続、NVMe(Non-Volatile Memory Express)プロトコル、M.2フォームファクタの最新SSD、950 PROが発表されたインパクトは大きい。ベンチマークのデモを見ても、SATA3.0(6Gbps)のSSDとは一桁違うリード/ライト速度だ。950 PROをフルスペックで動かせるプラットフォームはまだ少なく、マザーボードベースでいうと、インテルのZ97、X99、および最新の100シリーズというチップセットを搭載した一部の製品に限られる。このあたりについては、950 PROの実機レビュー&ベンチマークと合わせて、近々まとめてみたい。
950 PROが搭載するNANDフラッシュは、もちろん3D V-NANDだ。垂直方向に32層(レイヤー)を重ね、1チップで128Gbitの容量を実現した第2世代の3D V-NANDとなる。なお、2015年8月に米サンタクララで開催された「Flash Memory Summit 2015」において、Samsungは1チップあたり256Gbitを達成した第3世代の3D V-NANDを発表済みだ。第3世代3D V-NANDについては、今回のSamsung SSD Global Summitでも簡単に触れられた。
■V-NAND SSD 950 PRO M.2 NVM Express | ||
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256GBモデル(MZ-V5P256BW) | 512GBモデル(MZ-V5P512BW) | |
フォームファクタ | M.2 | |
インタフェース | PCI Express Gen3 x4 | |
プロトコル | NVMe 1.1 | |
NANDフラッシュ | 第2世代Samsung V-NAND(128Gbit/1チップ) | |
コントローラ | Samsung UBX | |
キャッシュメモリ | Samsung 512 MB LPDDR3 SDRAM | |
TRIM | ○ | |
S.M.A.R.T | ○ | |
暗号化サポート | AES 256bit | |
シーケンシャルリード | 2,200 MB/秒 | 2,500 MB/秒 |
シーケンシャルライト | 900 MB/秒 | 1,500 MB/秒 |
ランダムリード(4KB・QD32) | 270,000 IOPS | 300,000 IOPS |
ランダムライト(4KB・QD32) | 85,000 IOPS | 110,000 IOPS |
ランダムリード(4KB・QD1) | 11,000 IOPS | 12,000 IOPS |
ランダムライト(4KB・QD1) | 43,000 IOPS | 43,000 IOPS |
平均消費電力 | 5.1W | 5.7W |
最大消費電力 | 6.4W | 7.0W |
アイドル時 | 70mW | 70mW |
Device Sleep Mode | ○ | |
TBW(Total Byte Written) | 200TB | 400TB |
保証 | 5年、またはTBWの範囲内 | |
※シーケンシャルアクセスとランダムアクセスは最大値 |